Фототиристор ТФ-132-25-10-У3

Фототиристор ТФ-132-25-10-У3

Фототиристор ТФ132-25, содержащий полупроводниковый элемент ТО132-25, предназначен для работы в схемах дуговой защиты контактно ― распределительных устройств (КРУ) и других устройствах электротехнического назначения. Климатическое исполнение и категория размещения У3 для эксплуатации в атмосфере типа I и II по ГОСТ 15150-69. По прочности и устойчивости к воздействию механических нагрузок диоды соответствуют группе М27 условий экс- плуатации по ГОСТ 17516.1-90. Фототиристоры изготавливаются по ТУ У 32.1-05755571-001-2001. 

Особенности эксплуатации фототиристоров

 Фототиристоры ТФ132-25 были разработаны специально для систем дуговой защиты КРУ и более 20 лет успешно применяются в составе продукции, выпускаемой рядом предприятий, выпускающих высок овольтную аппаратуру. Для успешной эксплуатации тиристоров этого типа необходимо учитывать следующее. Возможны так называемые «ложные срабатывания защиты», то есть переключение фототиристора в проводящее состояние без подачи управляющего освещения. Это явление связано с включением фототиристоров эффектом (dU/dt) – переключения фототиристора при приложении к нему напряжения с высокой скоростью нарастания. Эффект наблю- дается либо при появлении к оммутационных перенапряжений на питающей сети, либо при подаче напряжения собст- венных нужд на цепь, содержащую фототиристор. Для исключения неуправляемого открытия фототиристоров реко- мендуется: 1. Ввести в схему последовательные демпфирующие RC-цепи (R=20 Ом, С=0,05 мкФ), включенные параллельно каждому фототиристору. 2. Применять фототиристоры с группой по (dU/dt) 3 или 4. Применение фототиристоров с группой по (dU/dt) 5 и более при наличии RC-цепи неоправданно. Группы 7 по (dU/dt) у фототиристоров не существует. При применении фототиристоров на высокоомную нагрузк у необходимо учитывать, что ток включения ТФ132 со- ставляет не более 100 мА, ток удержания – не более 70 мА. Следовательно, при работе со слишком малыми токами на- грузки тиристор будет переходить в зак рытое состояние по окончании воздействия света.